如何对器件进行静电击穿检测呢？一有几种检测的办法：

        一、用电子显微镜或扫描电子显微镜(SEM)观察

        二、光辐射法

        用显微镜在昏暗的视野下进行观察，同时，将结区电压慢慢地增加，这样，当结区发生击穿时，在击穿的地万便会发光。这是由于在结区的电子与空穴复合时所释放出的能量以光子的形式辐射出来了。

        三、选择性化学腐蚀法

        这是一种使用易于腐蚀si、而难于腐蚀SiO2的液体来对形成氧化膜的试样进行腐蚀的方法。如果在氧化膜中存在有缺陷，则通过这个缺陷，si就会被腐蚀，便能观察到特有的腐蚀坑，这样，便可对缺陷进行评估。

        四、利用液晶观察热点

        因静电放电而产生的热击穿，可利用向列型液晶来观察热点的位置，这是一种比较简便的万法。

        五、EBIC法

        电子束感应电流法(简称EBIC法)是测量由于扫描电子显微镜电子束的照射，在半导体中形成的电子空穴对引起的电流的方法。这是一种非破坏性的实验方法，可以了解在表面之下的电特性和物理特性。

        六、电压对比法

        电压对比法与前面的EBIC法类似。利用这种方法的电子束探针，可以代替以往的钨探针，它是一种分析故障的高分辨率的探针。

        七、EBEGC法

        电子束增强选通电流法(简称EBEGC法)，这是一种将二次电子束与电子束引起的感应电流像叠加起来进行利用的一种方法。这种方法可以看作是EBIC法与电压对比法二者的合并。

如果您对以上关于信息感兴趣或有疑问，请点击联系创选宝官方网站网页右侧的在线客服，或致电：400-606-9458，创选宝防静电将您做热情介绍和支持。

更多资讯请查询：http://www.esdcxb.com  版权所有，转载请注明出处。   编辑：创选宝 C