静电能量是经由传导性能量转移方式引入产品的电子组件内, 主要破坏力是瞬间峰值电流，电压是引导放电作用的诱发位能，静电开始时是经由直接（电流）或间接辐射方式以快速的瞬时突波冲击到电路组件上，这当中有电流热效应也有电磁场的干扰效应。所以静电对造成电子组件失效情况可概分三种情形，一、硬件失效(Hard failure)，二、潜在性失效(Latentfailure)，三、场强感应失效 (Field induction failure)。

1、硬件失效问题： 静电电弧电压(Sparkvoltage)窜入半导体内部使绝缘部位损坏，如在P-N接合点短路或开路，内部绝缘的氧化层贯穿(punch-through)-金属氧化处理部位产生熔蚀(melting)等，这都是属于长久性失效。

       2、潜在性失效问题：当静电发生时系统虽暂时受到影响，仍然可继续动作，但功能会随时间逐渐变差，隔数日或数周后系统出现异常，最后成为硬件失效。这是因为半导体组件已经受到部分不可回复的损伤，随着使用时间日增，异常功能自会逐渐显现。这种失效是很难难捉模，无法以失效模式分析确认。

       3、感应场强失效问题：当静电的高压放电火花跟电流会对产生电场辐射效应，这种宽带的辐射，经常使临近的电路受干扰而失常，如Latch-Up 或暂时性程序错乱，及数据流失等，严重时更会损伤硬件成为长久行硬件失效。