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曾迫使美国解除管制,中微公司再扩产剑指何方?

[点击量:1429][来源:创选宝防静电专家(www.esdcxb.com)]

2020-02-28

出口管制,是发达国家钳制我国半导体行业发展的杀手锏。2015年以前,美国限制出口等离子体刻蚀设备,令业界如鲠在喉。

打破这一封锁的,是成立于2004年的中微公司(688012.SH)。凭借创业团队丰富的行业经验和不懈的技术攻关,研发量产了在技术指标上和美国厂商不相上下的等离子体刻蚀设备。当封锁形同虚设,美国商务部不得不在2015年解除该项出口管制。

2020年,国内5G、IoT等终端市场需求开始释放,预计将在2025年形成超过1.1万亿元市场规模的5G手机市场。这必将促使上游扩充产能,间接推动生产设备需求增长。一直不遗余力投入研发的中微公司,能否在国产替代的基础上,抓住这一波产能扩充的机遇?

独力破除刻蚀机出口管制

“一代设备,一代工艺,一代产品”,产品迭代的前提是更新一代工艺;新工艺之所以可行,则仰赖于新一代半导体设备。

在半导体产业链中,上游负责提供软件及知识产权、硬件设备和原材料,用以支撑半导体的生产环节。中国要想在产业链中掌握关键技术,拥有核心竞争力,必须要有厂商能够进入这些赛道,并且能在技术指标上与国际产品抗衡,实现国产替代。

从产值上看,全球半导体设备的市场规模已有数百亿美元之巨,最为关键的是,其决定了芯片的工艺水准和产品参数,如杠杆一般撬动着年产值几十万亿美元的信息产业应用。

随着全球制造业的转移和中国经济的发展,中国已然成为全球最大的电子产品生产和消费市场。与庞大且增长迅速的市场规模相比,国产半导体在2018年的自给率仅为15%。根据海关总署的数据,半导体集成电路产品从2015年开始就占据我国进口商品总额第一的位置,超过原油和客机。

国产替代不仅能提升我国产业的核心竞争力,而且背靠国内市场需求的坚实支撑。因此,在加工设备赛道打破国际厂商技术壁垒和市场垄断,成为国内厂商努力的方向。

中微公司选择的赛道是刻蚀设备。董事长尹志尧在Intel、LAM Research以及应用材料公司供职20余年,主攻方向是等离子体刻蚀机的开发和产业化。

刻蚀是制造集成电路的关键工序之一:先对光刻胶进行光刻曝光,然后再利用化学或物理方法去除硅片表面不需要的材料,从而在已经涂胶的硅片上正确复制掩模图形。

进入21世纪,在美国硅谷已经工作多年的尹志尧,既看到中国芯片产业的蓬勃潜力,更看到了芯片产业对中国崛起的战略意义。年近六十的他毅然辞职回国,开始了创业之路。

赶上国内半导体产业腾飞的尹志尧“如鱼得水”,中微公司发展迅速。

考虑到技术难度相对较低,中微创业团队先瞄准用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度较高材料的电容性等离子体刻蚀设备;2012年,进一步推出了电感性等离体刻蚀设备,正式杀入单晶硅和多晶硅刻蚀赛道。

目前,中微公司已经成功开发了包括单反应台和双反应台在内的三代CCP刻蚀机产品,以及单反应台的ICP刻蚀设备,形成了较为完备的产品线。中微公司的产品已经达到了国际先进水平,更是使得西方国家的出口管制“多此一举”。2015年,美国商务部宣布解除对我国等离子体刻蚀设备的出口管制,既是对中微公司技术和产品实力的肯定,也是对中国半导体行业国产替代进程的确认。

能否支持更小制程芯片的刻蚀工艺,是衡量刻蚀设备技术水平高低的重要维度。

制程是衡量集成电路精细度的主要指标。制程越小,元器件之间的距离越小,晶体管间的电容越低,它们的开关频率也就更高。最终让芯片运算速度更快的同时更加省电。

如今,主流芯片制程已经向7nm和5nm发展。而中微公司的等离子体刻蚀设备,已经在65nm到7nm的刻蚀加工上实现产业化,部分7nm甚至5nm的刻蚀应用已经进入客户端验证的阶段。

值得一提的是,国际厂商的晶圆加工设备为了保证加工精度,普遍采用单反应台的方式。中微公司掌握的双反应台高产出率技术,让设备的高输出量等离子体反应腔,能同时加工2片晶圆,在提高产出率的同时降低了设备的生产成本。

之所以能够掌握关键技术,得到台积电、中芯国际、联华电子等一流集成电路厂商的青睐,是因为中微公司在研发上的高额投入。从2016年到2018年,中微公司研发投入共计10.37亿元,占三年总营收的32.2%。

在刻蚀设备国产替代的进程中,中微公司功不可没。

 

 

(来源:亿欧)

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