核心提示： 　　　电压击穿是指半导体PN结或绝缘介质层在过电压下的击穿。在现代VLSI电路中，栅氧化层厚度已薄到纳米级，小到近百伏或几十伏的静电电压，就足以使元器件失效或性能降低。　　过电压的主要来源是摩擦电。当一个人走进房间或

　　电压击穿是指半导体PN结或绝缘介质层在过电压下的击穿。在现代VLSI电路中，栅氧化层厚度已薄到纳米级，小到近百伏或几十伏的静电电压，就足以使元器件失效或性能降低。

　　过电压的主要来源是摩擦电。当一个人走进房间或仅仅把集成电路从塑料封袋材料中取出，就可能产生15000—20000V的电压，远超过静电破坏电压。以MOS场效应晶体管为例，金属铝栅、绝缘介质层SIO2，半导体N沟道，这样的结构相当于一个平板电容，电容量大约3PF。

　　当铝栅上出现静电荷聚积时，由V=Q/C知，即使微量电荷，也会使电压升得很高。而绝缘介质层SIO2的耐压值仅在100V左右，当静电电压达到或超过耐压值，氧化膜就会被击穿，造成针孔而使栅沟相通，损伤器件，造成隐患，或使器件失效。

　　功率击穿是指半导体PN结、绝缘介质层、连接导线等在过电流下的击穿，它与静电放电脉冲形状、持续时间和能量积累有关。静电放电电流流过集成电路内部引起PN结的温度升高。

　　有的可能烧毁内部连接导线或造成内部连接导线变窄，有的引起合金化或造成金属的扩散，最终造成器件永久性的破坏或严重老化。电老化是最头痛的“软击穿”，它在当时并不能被发现，但在其后随时可能出现失效，这时使用它的电子设备无疑会带来极大的隐患。 　

 24小时 客户服务热线：如果您对创选宝防静电橡胶垫产品感兴趣，请点击联系创选宝官方网站右侧的在线客服，或致电：400-606-9458，创选宝的专业工程师会为您提供专业建议。

---责任编辑：创选宝A

版权所有http://www.esdcxb.com，转载请注明出处